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Notice

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글번호
35034
일 자
11.11.28
조회수
424
글쓴이
고명동
제목 : 나노반도체 성능향상 신기술 개발 (매일경제, 2009. 12. 16)

나노 반도체 성능향상 신기술을 개발하였으며 이와 관련하여 언론 보도가 되었습니다.

 란타늄(La)이 도핑된 트랜지스터의 쌍극자와 초고주파 특성 사이의 메커니즘을 규명하고 이를 바탕으로 한 모델을 제시하여 해외 유명 학회인 IEEE IEDM에 발표하였으며 자세한 내용은 아래 및 첨부파일에서 확인하실수 있습니다.

<G. B. Choi, H. C. Sagong, K. T. Lee, M. S. Park, H. S. Choi, S. H. Song, R. H. Baek, C. H. Park, S. H. Lee, J. S. Lee, C. Y. Kang, H-H. Tseng, R. Jammy, and Y. H. Jeong, “Impact of Dipole-induced Dielectric Relaxation on High-frequency Performance in La-incorporated HfSiON/Metal Gate nMOSFET” IEDM, p. 127 (2009)>

                                             < 언론 보도 기사>                                       

 

 

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