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번호 제목
84 2011. 07 ~ 차세대 VERTICAL NANOWIRE DRAM 개발을 위한 공정, 분석 삼성전자(주) 
83 2010. 01 ~ 2011. 06 GAA SI NANOWIRE FET의 신뢰성 평가 및 잡음 특성 분석 삼성전자(주) 
82 2009. 09 ~ 2010. 08 차세대 트랜지스터 GATE STACK용 박막의 원자층 증착과 물성,소자 특성연구 (주)하이닉스 반도체  
81 2008. 11 ~ 2009. 10 나노와이어 소자의 전기적·물리적 특성 분석 및 모델 기법 개발 삼성전자(주)  
80 2008. 09 ~ 2009. 08 차세대 트랜지스터 GATE STACK용 박막의 원자층 증착과 물성,소자 특성연구 (주)하이닉스 반도체  
79 2008. 03 ~ 2009. 02 High-K 절연막을 이용한 Nano-CMOS 소자의 RF 특성 평가 삼성전자(주)  
78 2007. 12 ~ 2008. 11 Flexible Color OLED 용 OTFT 기술개발 삼성전자(주)  
77 2007. 09 ~ 2008. 08 차세대 트랜지스터 GATE STACK용 박막의 원자층 증착과 물성,소자 특성연구 (주)하이닉스 반도체 
76 2006. 11 ~ 2007. 10 Flexible Color OLED용 OTFT 기술개발 삼성전자(주)  
75 2006. 08 ~ 2007. 07 기능성 나노전자 소자 및 회로 응용기술 개발 한국산업기술평가원  
74 2005. 11 ~ 2006. 10 Flexible Color OLED용 OTFT 기술개발 삼성전자(주)  
73 2005. 08 ~ 2006. 07 기능성 나노전자 소자 및 회로 응용기술 개발 한국산업기술평가원  
72 2005. 03 ~ 2006. 02 Nano-CMOS를 이용한 VCO 공정 설계 기술 개발 삼성전자(주)  
71 2005. 03 ~ 2006. 02 차세대 메모리 설계를 위한 Nano-CMOS 누설전류 모델링 (주)하이닉스 반도체  
70 2004. 11 ~ 2005. 10 Flexible Color OLED용 OTFT 기술개발 삼성전자(주)  
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