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Patents

대한민국 특허

[대한민국] 전하 트랩층을 갖는 비휘발성 유기 메모리 소자 / 이장식 외 2인 / 10-1061053 / 2011-08-25

[대한민국] 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 동작방법 및 제조방법 / 이장식 / 10-1105645 / 2012-01-06

[대한민국] 나노입자계 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 이장식, 박영수 / 10-1111741 2012-01-26

[대한민국] 전하저장층 및 그의 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법 이장식 외 5인 / 10-1155108 / 2012-06-04

[대한민국] 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 김수진 / 10-1190570 / 2012-10-08

[대한민국] 미세구조 및 그 제조 방법 / 이장식 / 10-1220243 / 2013-01-03

[대한민국] 나노 템플릿 및 그 제조 방법 / 이장식, 유시훈 / 10-1234222 / 2013-02-12

[대한민국] 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 김수진 / 10-1234225 / 2013-02-12

US Patents

[US] Cell array of semiconductor memory device and a method of forming the same / 설종선, 이장식 외 4인 / 07795643 / 2010-09-14

[US] Charge trapping layer, method of forming the charge trapping layer, non-volatile memory device using the same and method of fabricating the non-volatile memory device / 이장식 외 5인 / 12588871 / 2010-11-04

[US] Method of forming floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof / 이재갑, 이장식 외 2인 / 07897458 / 2011-03-01

[US] Cell array of semiconductor memory device and a method of forming the same / 설종선, 이장식 외 4인 / 08237199 / 2012-08-07

[US] Floating gate having multiple charge storing layers, method of fabricating the floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof / 이장식 외 2인 / 08268711 / 2012-09-18