글번호
35521
일 자
10.08.24
조회수
544
글쓴이
고명동
제목 : 2009. 09 ~ 2010. 08 차세대 트랜지스터 GATE STACK용 박막의 원자층 증착과 물성,소자 특성연구 (주)하이닉스 반도체

 

첨부파일 첨부파일:
첨부파일이 없습니다.
목록으로
다음글 2010. 01 ~ 2011. 06 GAA SI NANOWIRE FET의 신뢰성 평가 및 잡음 특성 분석 삼성전자(주)
이전글 2008. 11 ~ 2009. 10 나노와이어 소자의 전기적·물리적 특성 분석 및 모델 기법 개발 삼성전자(주)