글번호
35030
일 자
11.11.28
조회수
589
글쓴이
고명동
제목 : 35nm 게이트 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 기술을 개발 (한국경제, 2007. 8. 22)

 기존 실리콘 소자보다 10배 이상 빠른 35nm 갈륨비소계 나노트랜지스터 개발에 성공하여 한국경제 외 다양한 언론 매체에서 보도되었습니다.

 본 소자는 세계에서 가장 빠른 동작 속도를 가지는 GaAs Nanotransistor이며, 저항을 줄일 수 있는 지그재그 형태의 게이트 구조를 가져 최대 520-GHz 발진주파수를 가집니다.  기존의 50nm 트랜지스터보다 성능이 우수할 뿐만 아니라, 가격이 기존 제품의 절반 이하로 저렴하고 제조공정이 용이해 대량생산에 유리한 것으로 전망됩니다.

 본 기술은 IEEE Electron Device Letters에 개제 되었으며 첨부파일에서도 확인하실수 있습니다.

                                             < 언론 매체 보도 내용 >

첨부파일 첨부파일:
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